中芯国际官网截图
就在1个月前（9月18日），中芯国际在“上证e互动”回答投资者提问时披露：“FinFET N+1已进入客户导入阶段，可望于2020年底小批量试产。”
虽然中芯国际从未证实，但外界一直猜测“N+1”就是该公司的7nm工艺。
今年2月，中芯国际联合CEO梁孟松在财报会议上首次披露，在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺提升较小。
谈到具体数据，他透露，中芯国际N+1工艺和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%，而7nm市场基准性能提升应该是35%，所以该公司的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。
在此之前，中芯国际曾向荷兰阿斯麦（ASML）订购一台EUV光刻机，用于下一代工艺制造，价值高达1.5亿美元，原计划在2019年初交付。但在美国政府阻扰之下，这项交易至今仍未完成。
对于外界“没有EUV光刻机就无法实现下一代工艺开发”的质疑，梁孟松提到，在当下的计划中，N+1和N+2工艺都不会使用EUV设备，等到设备就绪以后，N+2才会转而使用EUV设备。
福布斯中文网也在今年3月的报道中指出，中芯国际的7nm工艺发展跟台积电路线差不多，7nm节点一共发展三种工艺，分别是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工艺的N7+。
需要注意的是，目前世界上可以量产7nm芯片的晶圆代工厂商仅台积电和三星两家，IDM厂商英特尔10nm产品刚上市不久，7nm芯片可能推迟至2023年。这意味着，中芯有望在制程上赶超英特尔。
今年二季度全球晶圆代工市场份额：台积电51.5%，三星18.8%；GlobalFoundries（格芯）7.4%，联电7.3%，中芯国际4.8%。数据来源：TrendForce
与长电科技陷合同纠纷
在官网发布的新闻中，芯动科技提到，自2019年始，该公司在中芯N+1工艺尚待成熟的情况下，投入数千万元设计优化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代，助力中芯国际突破N+1工艺良率瓶颈。
观察者网梳理发现，芯动科技官网还有多条与中芯国际相关的新闻。例如，荣膺中芯连续四年（2013年-2016年）最佳合作伙伴、基于中芯国际14nm工艺的多款高速接口IP研发及量产成功等。