而基于宽禁带半导体材料的深紫外发光二极管成为这一新应用的不二选择。这一全固态光源体系体积小、效率高，寿命长，仅仅是拇指盖大小的芯片，就可以发出比汞灯还要强的紫外光。然而，要想实现紫外LED的高效发光并不总是那么容易。
中国科大微电子学院孙海定和龙世兵教授课题组，巧妙通过调控蓝宝石衬底的斜切角，大幅提升紫外LED的IQE和器件发光功率。课题组发现，当提高衬底的斜切角时，紫外LED内部的位错得到明显抑制，器件发光强度明显提高。当斜切角衬底达到4度时，器件荧光光谱的强度提升了一个数量级，而内量子效率也达到了破纪录的90%以上。
科研人员通过在4度斜切角衬底上优化外延生长调节，研究人员摸索到了一种最佳结构。该结构的载流子寿命超过了1.60ns，而传统器件中这一数值一般都低于1ns。
此项研究将会为高效率的全固态紫外光源的研发提供新的思路。这种思路无需昂贵的图形化衬底，也不需要复杂的外延生长工艺，而仅仅依靠衬底的斜切角的调控和外延生长参数的匹配和优化，就有望将紫外LED的发光特性提高到与蓝光LED相媲美的高度，为高功率深紫外LED的大规模应用奠定实验和理论基础。