韩媒：中国半导体崛起，开始瞄准尖端芯片，威胁到韩国“地盘”！

7月13日，韩国媒体《先驱经济》发表文章称，由DRAM领域的长鑫存储和NAND领域的长江存储引领的中国存储器热潮，不仅瞄准了传统市场，还瞄准了高带宽存储器（HBM）等尖端市场。凭借政府支持和国内市场积累的基础实力，甚至威胁到三星电子和SK海力士的地盘，韩国产业的紧张局势正在加剧。

据业内人士透露，中国存储器企业正瞄准韩国企业主导的HBM市场。HBM是一种将通用DRAM垂直堆叠起来，大幅扩展数据移动路径的产品，被用作必须同时进行大量计算的AI半导体。

引领中国HBM创新的领军企业是长鑫存储。长鑫存储的目标是在今年年底前完成第四代HBM产品HBM3的量产认证流程。长鑫存储正在积极扩建其位于北京和合肥的工厂，预计该基地将提升其HBM产能。业界预测，中国还将在两年内量产目前最先进的第五代HBM产品（HBM3E）。

韩国业界评估认为，如果中国企业成功进入这一尖端市场，那韩国企业的损失将难以想象。一旦进入HBM这样的高附加值市场，他们将能够显著提高财务独立性，并更积极地进行研发。市场研究公司TrendForce的数据显示，HBM去年在DRAM出货量中仅占5%，但其附加值却占销售额的20%。韩国一位业内人士预测：“由于美国的出口限制，中国市场对HBM的需求尚未得到满足，未来只会进一步增长。如果中国企业能够解决这个问题，并增强实力，进军全球市场，这将有望改变HBM未来的竞争格局。”

在同样因AI创新而急剧变化的NAND市场，中国的攻势也不容小觑。中国长江存储今年2月在业界首次量产294层NAND，震惊了业界，其独特的混合键合技术被认为非常先进，以至于韩国企业也必须采用这些专利。

与此同时，中国在研发投入方面也表现出了积极的态势。去年，当美国、日本和欧洲等竞争对手放慢步伐时，中国却提高了研发投入比例。据半导体行业协会统计，去年中国半导体销售额的9.2%用于研发，比上一年（7.6%）提高了1.6个百分点。这与半导体产业主要国家美国（19.3%→17.7%）、日本（12.0%→5.7%）、欧洲（14.0%→10.8%）在此期间所占比例均有所下降形成鲜明对比。

原文：https://www.toutiao.com/article/1837534920017930/

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