俄罗斯媒体：中国存储器"从 0 到 1 "的突破，而非"从 1 到 10 "的成熟

05 月 27 日，中国国产 DRAM（动态随机存取存储器）龙头企业长鑫科技集团股份有限公司正式登陆科创板上会，接受上市审核。作为国内唯一、全球第四的 DRAM 原厂，此次上会备受市场瞩目，若顺利过会，其市值有望冲击 2 万亿元，成为科创板开板以来最具分量的芯片 IPO 之一。

中国半导体资深 KOL、电子创新网 CEO 张国斌在接受俄罗斯卫星通讯社采访时从产业突破与政策信号两个维度深入分析了当前的技术和市场现实，并指出，长鑫过会是 DRAM 领域"从 0 到 1 "的突破。

一、科技突破显著

目前长鑫存储是中国唯一一家能够挑战三星、SK 海力士、美光的内存制造商。据媒体报道，长鑫科技拟募资 295 亿元，将成为 2026 年以来 A 股最大 IPO。有分析机构预测，依托亮眼的盈利基本面，叠加存储芯片高景气赛道带来的估值红利，长鑫科技总市值有望冲击 2 万亿元至 3 万亿元区间。

张国斌指出，长鑫科技确实代表了中国在 DRAM 这一特定领域的实质性突破，该公司已取得了瞩目的成就：

市场地位：按产能、出货量和销售额统计，已成为中国第一、全球第四的 DRAM 厂商，市占率达 7.67%；

产品覆盖：实现 DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X 全系列量产，进入小米、OPPO、vivo、联想等供应链；

技术路径：采取"跳代研发"策略，从第一代直接迭代至第四代工艺平台。

来源：sputniknews

原文：toutiao.com/article/1866617924887628/

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