韩媒：“没想到中国这么快就追上了”！

12月29日，韩国媒体《先驱经济》发表文章称，中国存储半导体公司长鑫存储发布最新DDR5和LPDDR5X产品，正撼动全球DRAM市场。随着人工智能的普及，高性能内存的需求激增，有预测称，中国的技术进步速度超出预期，可能对以三星电子、SK海力士和美光为核心的“三巨头”格局造成冲击。

据业内人士透露，长鑫存储近日发布了七款新一代DRAM产品，其中包括DDR5和LPDDR5X。DDR5是目前主要用于PC和服务器的最新标准内存，而LPDDR5X则用于智能手机和平板电脑等移动设备。 

新款DDR5的最高速度可达8000Mbps，比之前的6400Mbps快了25%以上。考虑到三星电子同规格的DDR5内存最高速度为7200Mbps，长鑫存储在数值上领先。 

其面向移动设备的LPDDR5X内存也达到了与全球主流产品相近的性能，最高速度可达16670Mbps。韩国一位业内人士表示：“我们无法确认量产流程的完整性，例如是否采用了最先进的工艺，但根据主流市场产品的标准来看，似乎已经相当接近了。”

良品率也在不断提高。据市场研究公司TrendForce的数据显示，长鑫存储近期DDR5产品的良品率达到了80%，接近SK海力士80%-90%的水平。考虑到其初始良品率仅为40%左右，这无疑是一个惊人的进步。

长鑫存储的市场份额正在快速增长。市场研究公司Counterpoint Research的数据显示，长鑫存储基于全球DRAM出货量的市场份额从2025年第一季度的6%增长到第三季度的8%。该公司成立于2016年，仅用了九年时间就跃升至仅次于美光的第四位。

长鑫存储最大的优势在于其“价格竞争力”。据业内人士透露，长鑫存储的产品售价比韩国、日本和美国的内存厂商低10%至20%。

长鑫存储目前的月产能为16万片晶圆，目标是在2026年达到每月35万至40万片。这一规模已接近全球第三大芯片制造商美光科技。

业内人士认为，韩国企业在高带宽内存（HBM）、超精细工艺和3D TSV封装等技术难度较高的领域拥有的优势，短期内将保持稳定。另一方面，价格和供应至关重要的通用DRAM和部分移动内存市场，可能会受到中国低价攻势的冲击。

原文：toutiao.com/article/1852833871723529/

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