外媒：中国科研人员宣布在二维半导体材料的生产上取得突破，推动了下一代高性能电子产品的发展。

这项技术有望取代硅材料，解决了在大规模生产中难以均匀、高质量制造二维材料的问题。目前，随着半导体芯片不断进化，晶体管尺寸接近硅基技术的物理极限，寻找下一代半导体材料成为全球研究的重点。二维材料，如二硫化钼（MoS₂），因其原子级薄结构、高载流子迁移率和低功耗特性，被认为是后摩尔定律时代的理想接替者。然而，如何在大面积上均匀生产这些材料，一直是商业化面临的核心难题。

中国南京东南大学与南京大学的联合科研团队，宣布已开发出一种新技术，可以大规模生产二维材料晶圆。这项突破为未来高性能电子产品的应用铺平了道路。

原文：toutiao.com/article/1857389447286791/

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