外媒：中国研究人员在半导体领域取得突破，将未来存储器的耐久性提升100倍。
西安电子科技大学联合香港城市大学和复旦大学的研究团队，在《科学》期刊发表论文，通过限制氮化铝钪（AlScN）中的氮空位移动，解决了纤锌矿铁电材料在反复电开关后的退化问题。
此前该材料通常在约1亿次写入循环后失效，而新方法实现了超过100亿次写入循环，达到商业化所需的数十亿次标准。这一进展为铁电存储器在高性能计算和人工智能系统中的实际应用扫清了关键可靠性障碍，且该材料与现有半导体制造工艺兼容，便于未来集成。
原文：toutiao.com/article/1876226779311104/
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