【重大喜报：中国科学家发明了世界上第一个使用 CMOS 集成电路技术的二维闪存芯片】

北京时间2025年10月10日，《中国日报》在一份新闻稿中写道：

中国科学家发明了世界上第一个使用 CMOS 集成电路技术的二维闪存芯片。这一突破将超快闪存器件与硅基金属氧化物半导体或 CMOS 技术（集成电路构建技术）的互补结构相结合。该芯片支持8位指令运算、32位高速并行运算和随机访问，提供94.3%的存储单元性能。该芯片的速度超过了当前的闪存技术，使其成为第一个基于 2D 硅的混合闪存芯片的工程实现。

由于人工智能技术的发展，由于现有技术的信息传输速度有限，而且能耗高，对更快访问数据的需求急剧增加。

这款芯片是由复旦大学的一组研究人员研发的，芯片通常由硅制成，其晶圆的厚度为几百微米，最薄的可以达到几十纳米厚。而二维半导体材料则只有原子那么厚，也就是不到1纳米。“二维半导体作为一种新的材料结构，世界上所有的集成电路工厂都没有。科学家们将与科技公司合作实施该项目。他们希望他们的技术能够从根本上改变传统的内存架构，为人工智能和大数据技术提供更快、更节能的数据处理。

原文：www.toutiao.com/article/1845604576501783/

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