韩媒、：黄仁勋称"感谢三星电子" … 在 GTC 主题演讲中强调与代工企业的合作
英伟达首席执行官黄仁勋在年度开发者大会"GTC 2026"的主题演讲中特别提到三星电子，对其表示感谢，还强调了两家公司的合作。特别是在英伟达的语言处理单元（LPU）"Groq 3"芯片制造方面，他指出三星电子是英伟达的主要合作伙伴。
当地时间 16 日，黄仁勋在美国加利福尼亚州圣何塞的 SAP 中心进行的主题演讲中，介绍了推理用芯片，他说："三星正在为我们制造 Groq3 LPU 芯片。目前正在尽可能加快生产。非常感谢三星"。
他介绍称该芯片将搭载在英伟达新一代 AI 芯片"Vera Rubin"系统上，表示"在今年下半年，大概在第三季度开始出货"。Grok3 LPU 是与英伟达的"Rubin"图形处理器（GPU）分配角色、提高推理性能和效率的芯片，在黄仁勋这次的发言中，可以确认三星电子的代工业务部门（半导体委托生产）正在生产该芯片。
三星电子当天也在 GTC 活动现场设立了展厅，首次向公众展示了新一代HBM“HBM4E”的实物芯片和堆叠芯片"Core Die"晶圆，积极宣传了与英伟达在内存领域的合作。
以今年下半年提供样品为目标的 HBM4E，计划支持每引脚 16Gbps（每秒千兆位）的传输速度和 4.0TB/s（每秒太字节）的带宽。这超过了上个月开始量产出货的最新第 6 代 HBM4 的 13Gbps 的传输速度和 3.3TB/s 的带宽。
三星电子计划通过量产 HBM4 所积累的基于 1c（10 纳米级第 6 代）DRAM 工艺的技术竞争力，以及三星代工的 4 纳米基础裸片（HBM 最底部搭载的核心部件）设计能力，来加速 HBM4E 的开发。
三星电子在 HBM4 批量出货后不久公开了 HBM4E，此举旨在凸显其与 SK 海力士、美光等其他竞争对手的差距。在本次 GTC 上，三星电子是主要内存供货商中唯一一家正式推出新一代 HBM4E 的企业。
特别是三星电子在本次展览上通过"HBM4 Hero Wall"展示了这种竞争力是综合半导体企业（IDM）独有的优势。三星电子还通过视频公开了混合铜键合（HCB）封装技术，该技术与通过热量和压力堆叠芯片的热压键合（TCB）相比，热阻降低了 20%，还支持 16 层以上的堆叠。
来源：朝鲜日报
原文：toutiao.com/article/1859883224368264/
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