韩媒：一年暴涨10个百分点，中国半导体设备国产化率突破35%！

2月6日，韩国媒体《全球经济》发表文章称，中国半导体设备国产化率超出预期。2025年一年中国半导体制造设备自给率从25%暴涨10个百分点至35%，超过了中国设定的目标值30%。尤其是在刻蚀、薄膜沉积等关键工艺领域，国产设备的采用率已超过40%，迅速降低对美国大型企业的依赖。

中国半导体产业2025年初制定了30%的目标，要求优先采用中国当地供应商，而不是应用材料、Ram Research、KLA等美国竞争对手。但实际成果为35%，超过5个百分点。

中国设备企业的技术进展体现在具体成果上。由中微半导体制造的5纳米级蚀刻设备进入了半导体制造企业尖端工艺线的验证阶段。北方华创的氧化和扩散炉在中国最大的代工企业中芯国际的28纳米生产线中占60%以上，北方华创的订单积压已排至2027年第一季度。

拓荆科技已将其在长江存储科技3D NAND生产线中等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备的比例从15%提高到30% 。业内人士认为，此举是中国企业为应对美国于2022年对中国半导体设备实施出口限制而努力构建自身供应链的结果。

中国正大力推动半导体设备的国产化。中国集成电路产业投资基金三期以创纪录的3440亿元人民币的资金进行投资。其主要目标是蚀刻设备和曝光系统核心部件的研发。

全球半导体行业协会SEMI预测，在对传统和先进制造工艺持续投资的推动下，中国将继续保持其全球最大半导体设备市场的地位，直至2027年。分析人士预测，中国国内设备的快速发展将对韩国、美国和日本等主要半导体设备制造商对华出口产生长期影响。

原文：toutiao.com/article/1856361799954632/

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