韩媒：中国半导体崛起，韩国的领先地位并不稳固！

6月15日，韩国媒体《京乡新闻》发表文章称，中国的半导体产业崛起，正对韩国长期以来占据主导地位的存储器半导体产业构成威胁。尤其是在晶圆代工和NAND闪存等特定领域，技术和市场份额差距正在逐渐缩小。专家指出，韩国必须扩大人才储备，才能与中国先进的人才库竞争，并制定构建半导体生态系统的具体蓝图。

据业内人士透露，韩国与中国在通用DRAM和NAND半导体技术方面存在2到3年的差距，在高带宽内存（HBM）方面存在5年或更长的差距，但这一差距正在逐渐缩小。

对于NAND闪存而言，堆叠层数决定了其性能。目前，SK海力士以321层堆叠层数领先，但中国领先的NAND闪存制造商长江存储正紧随其后，已开始量产270层堆叠层数的NAND闪存。

韩国祥明大学系统半导体工程系教授李钟焕表示：“我认为NAND闪存还有大约两年的差距，其他通用DRAM还有大约三年的差距。”但他补充道：“然而，由于中国的技术发展速度非常快，某些领域的格局可能会在5到10年内发生逆转。”

中国企业的市场份额也在不断提升。截至去年，长江存储在全球NAND闪存领域的市场份额已达11.8%，预计明年将超过14%。长鑫存储在全球DRAM市场的份额也从去年的5%增长至今年的8%左右，明年有望实现两位数的市场份额。

中国在晶圆代工领域的快速发展也十分显著。据市场研究公司TrendForce的数据显示，截至去年第四季度，三星电子（7.1%）与中国最大的晶圆代工厂中芯国际（5.2%）之间的市场份额差距较上年同期缩小了0.7个百分点。

韩国首尔大学电气与信息工程学院名誉教授朴永俊指出：“目前，中国的技术本身并不构成很大威胁。真正担心的不是技术，而是人才。就人力资源供给而言，韩国处于绝对劣势，只有中国的十分之一。人才培养也是韩国需要重点关注的领域。”

原文：toutiao.com/article/1868054663142412/

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