外媒：三星和SK海力士正升级其中国工厂以生产更先进芯片，应对中国长江存储的竞争及AI需求增长。

三星西安工厂占其全球NAND产量约40%，正通过内部代号"Monami"项目将200层芯片升级为286层V9 NAND，目标今年12月月产5000片晶圆、2027年12月跃升至4万片。

SK海力士大连工厂则从192层升级至240层以上NAND，并可能申请研发300层以上芯片的许可，为其美国新厂铺路。

尽管美国2025年曾表示不打算批准技术升级许可，但两家韩企称正与华盛顿密切磋商推进升级，强调不扩产或新建厂房。长江存储已抢占中国NAND市场38.5%份额，超越三星的33.5%，其产品线涵盖160层至294层芯片。

原文：toutiao.com/article/1879670666400843/

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