韩媒：中国DRAM崛起，长鑫存储今年产量将增长50%！

7月14日，韩国媒体《Etoday》发表文章称，中国DRAM产业链扩张步伐迅猛。中国存储器半导体龙头企业长鑫存储预计今年DRAM产量将同比增长近50%，未来其在全球市场的影响力也将快速提升。

据市场调研公司Counterpoint Research发布的《2025年第一季度内存报告》显示，预计长鑫存储今年第一季度基于DRAM出货量的市场份额为6%，到年底有望扩大至8%。

Counterpoint分析称：“继去年之后，长鑫存储今年仍保持着积极的扩张势头，预计2025年总产量将同比增长近50%。DDR5、LPDDR5等最新产品群的出货比例也在快速提升，第一季度不到1%的市场份额，预计第四季度将扩大到7%-9%。”

长鑫存储成立于2016年，此前，该公司一直专注于以DDR4为中心的产品线。近年来，该公司已将产品线扩展至DDR5和LPDDR5等高附加值产品，从而全面提升了其在全球DRAM市场的竞争力。

然而，技术差距依然存在。Counterpoint指出：“长鑫存储目前在HKMG（高K金属栅极）工艺方面面临挑战，而该工艺对于最新的DRAM量产至关重要。”HKMG被认为是DDR5之后下一代内存的关键工艺，它兼顾了高能效和高速计算性能。

因此，有分析认为，长鑫存储的下一代产品很可能基于难度较低的1a（第四代）工艺，而非尖端的1b（第五代）工艺。尽管如此，长鑫存储正专注于基于3D结构的“3D DRAM”技术的未来创新，并有评估认为，从中长期来看，该技术有可能对全球三大存储器公司构成威胁。

长鑫存储的扩张也向韩国存储器半导体公司发出了明确的警告信号。分析人士认为，三星电子和SK海力士凭借其技术实力和成本竞争力引领市场，但如果中国企业的价格攻势和数量扩张战略持续下去，这可能会成为中长期威胁。

原文：https://www.toutiao.com/article/1837624287255946/

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