分析师预计长鑫存储的市占可能会「滚雪球」般快速成，进一步改变全球内存产业格局。美联社

中国内存芯片企业长鑫存储（CXMT）近年来迅速扩展版图，成功打入全球DRAM市场，正从南韩三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）及美国美光（Micron）等同行手中抢夺市占，并加入OpenAI的竞争对手深度求索（DeepSeek）的行列。

据深圳顾问公司前瞻产业研究院的数据显示，长鑫存储的市占率已从2020年的接近0，上升至2024年的5%，分析师预计该公司的市占可能会「滚雪球」般快速成长。，进一步改变全球内存产业格局。

英国金融时报（FT）报导，长鑫存储目前主力产品为DDR4内存，市场研究机构SemiAnalysis指出，该公司自2022年开始积极扩大产能，当时月产量为7万片晶圆，而截至2024年，已提升至每月20万片晶圆，市占率达15%。

此外，长鑫存储已于2024年开始量产DDR5内存，逐步挑战南韩企业在高端内存市场的主导地位。

顾问公司TechInsights副董事长G Dan Hutcheson认为，长鑫存储的策略与1980至1990年代南韩企业在内存市场的扩张模式相似，当时南韩业者通过规模化生产压低成本，最终成功挤压日本厂商的市场空间，而如今类似的模式正发生在南韩企业身上。

除标准型DRAM产品，长鑫存储也积极布局高带宽内存（HBM）市场，此类内存是人工智能（AI）运算的重要组件，应用于OpenAI的ChatGPT等大型语言模型，目前长鑫存储也在上海附近建设一座占地28万平方公尺的晶圆厂来负责生产HBM2产品。

虽然HBM2相较于SK海力士即将量产的HBM4仍落后两代，但长鑫存储的扩张仍可能进一步加剧竞争，特别是三星目前仍在努力通过辉达（NVIDIA）的认证，以取得HBM供应商资格，而长鑫存储的进场无疑将增加市场变量。

野村证券指出，由于长鑫存储扩大DDR4产能并进军DDR5市场，导致市场供应增加，压低了内存价格，直接冲击三星与SK海力士的营收，其快速扩张不仅扰动市场格局，也加速了内存价格的下降。

此外，三星在最新财报中坦承，DRAM与NAND市场成长受限，公司将减少对传统内存的投资，2024年第3至第4季的营业利益下滑29%。

SK海力士则表示，受中国内存企业扩张影响，第4季的获利低于市场预期。

美国对中国半导体产业的出口管制也是影响长鑫存储发展的重要因素，2023年曾试图通过出口限制，阻止中国企业获取先进半导体技术。然而，分析师指出，长鑫存储利用出口管制漏洞，仍能获得部分美国半导体设备与技术支持，推动高端芯片制造进展。

此外，美国商务部2024年初将长鑫存储从出口管制名单中移除，恢复与美国供应商合作，这也为未来的技术发展提供更大空间。

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