韩媒：中国存储芯片崛起，“没想到技术能力会达到这个水平”！

1月4日，韩国媒体《先驱经济》发表文章称，中国领先的存储器公司长江存储研发的一款新型存储芯片拥有约270层，接近三星电子的水平。这一技术突破引发了竞争对手的反应，他们表示“没想到技术能力会达到这个水平”，令三星电子和日本半导体公司铠侠感到高度紧张。

据《日经新闻》报道，在中美战略竞争的背景下，得益于政策支持，长江存储技术实力迅速提升，其NAND闪存的全球销售份额首次突破10%。

根据Counterpoint的数据，长江存储的全球NAND闪存出货量份额在去年第一季度首次突破10%。第三季度，这一份额上升至13%，同比增长4个百分点，紧随全球第四大NAND闪存公司——美国美光科技之后。

随着以中国品牌笔记本电脑、智能手机为中心的长江存储产品采用增加，其年市场份额预计将超过10%。然而，按销售额计算的市场份额仍然维持在8%左右。

长江储能正在扩大其位于湖北省武汉市附近工厂的投资，目标是在2026年底前达到15%的市场份额。建成后，长江储能将占全球供应量的20%，有望超越日本铠侠。此外，一些人预测其市场份额将接近韩国SK海力士。

在DRAM领域，中国长鑫存储也取得了显著进展。去年第三季度，该公司以8%的市场份额位列全球DRAM市场第四，较2024年同期增长2个百分点。但在高带宽内存（HBM）技术方面，仍落后韩国企业约五年。

中国存储器企业拥有显著的价格优势。中国产NAND闪存的价格比国外产品低10%至20%。长江存储于2022年被列入美国制裁名单，日本企业也对使用长江存储的产品有所顾虑。

尽管如此，凭借极具竞争力的价格，中国企业正在迅速扩大其在海外市场的份额。国际半导体行业协会（SEMI）分析指出：“尽管受到美国制裁，中国企业的良品率仍在持续提高，如果价格差距持续存在，使用中国制造的存储器最终将成为一种不可避免的趋势”。

《日经新闻》报道称，尽管韩国存储器企业在HBM市场拥有优势，但它们也面临两大风险。首先，它们严重依赖海外供应商提供原材料和设备。其次，它们缺乏HBM和先进封装所需的关键混合键合专利，这可能使它们未来面临专利诉讼。

与此同时，《日经新闻》强调，中国正在迅速加快相关领域的专利申请速度，三星已经与长江存储签署了一些专利许可协议。

原文：toutiao.com/article/1853347636766915/

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