军事：美为何否决中国购飞利浦 忧中国将一设备卖出白菜价

氮化镓、碳化硅与硅的性能对比

　　2月5日，《纽约时报》刊登题为《美国对中国芯片雄心的担忧与日俱增》的文章，文章中称，“中国正投入巨资打造本国半导体产业，这一提升其军事力量及本土科技产业的举动引起华盛顿的注意”。而在2016年1月下旬，美国外商投资委员会否决了中国投资者以29亿收购飞利浦旗下子公司的照明业务的提议，就是美国政府担忧的具体体现。这早已不是第一次中资收购国外科技公司被美国政府阻扰，从早些年华为试图收购3COM，到去年紫光提出收购镁光被否决，中资在海外收购科技公司被行政力量阻挠已经屡见不鲜。

　　美国为何阻挠收购

　　美国政府要阻止的并非中国投资人所收购的照明业务本身，而是要阻止中国投资人通过收购飞利浦旗下子公司的照明业务后，进而掌握第三代半导体材料氮化镓的相关技术。

　　半导体材料发展至今已历三代：第一代半导体材料以锗和硅为代表，被广泛运用于集成电路制造领域；第二代半导体材料以砷化镓、磷化铟为代表，主要应用于以光发射器件为基础的光显示、光通信和光存储等光电子系统；第三代半导体材料则以氮化镓、碳化硅、金刚石为代表，具有具有宽的带隙、强的原子键、高的热导率、高熔点（1700摄氏度）、耐腐蚀等优点。特别是在传统材料的功率器件发展到材料极限，已经很难满足高频、高温、高功率、高效能、小型化等方面新需求的情况下，氮化镓则可凭借其材料特性，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面取而代之。