韩媒：中国存储半导体也崛起了！

12月23日，韩国媒体《Etoday》发表文章称，中国存储半导体公司长江存储和长鑫存储正快速推出新一代NAND闪存和高性能DRAM，在全球存储市场大幅提升技术追赶速度。随着层数和速度等关键规格的快速提升，两家公司都在扩大市场份额。此外，尽管受到美国设备法规的限制，中国企业仍在不断提高良品率和产能，预计这将在中长期内给韩国、美国和日本的存储制造商带来日益激烈的竞争压力。

据悉，中国NAND闪存制造商长江存储今年1至3月的出货量市场份额首次突破10%，7至9月更是达到13%。长江存储已开始量产的270层3D NAND闪存，在堆叠层数方面显著缩小了与领先厂商的技术差距。

长江存储的目标是到明年年底实现全球出货量份额达到15%。预计一旦目前在武汉附近建设的新工厂竣工，长江实业的全球供应份额将增至约20%。

在这种情况下，长江存储将超越铠侠，甚至赶上目前市场份额为31.9%的SK海力士。中国制造的NAND闪存价格比竞争对手低10%至20%，也被认为是市场扩张的关键因素。

DRAM制造商长鑫存储也在同步提升其技术和市场份额。据报道，长鑫存储的全球DRAM市场份额已从6%上升至8%。随着通用DDR产品等研发工作的加速推进以及内存产品在国内市场应用率的提高，长鑫存储的市场影响力也在不断增强。

长鑫存储在近期于中国举办的半导体展会上发布了DDR5内存产品，引起了业界的广泛关注。该公司宣布，16GB和24GB的DDR5内存最高运行速度可达8000Mbps。这一速度超过了三星电子DDR5内存7200Mbps的最高速度，分析师得出结论：长鑫存储DDR5与三星DDR5在速度上的差距已经缩小。

然而，考虑到高带宽内存（HBM）是AI服务器和图形处理器（GPU）市场的关键组件，中国企业的竞争力仍然有限。

三星电子和SK海力士已经完成了下一代HBM4（第六代）的开发，而长鑫存长预计仍停留在第三代（HBM2E）水平，与全球领先者相比，存在大约4到5年的差距。

分析师预测，在通用DRAM和NAND闪存领域，中国企业正以超出预期的速度迎头赶上，这主要得益价格竞争力、强劲的国内市场以及政府的大力支持。尽管它们在高附加值HBM存储器领域仍落后于其他国家，但这表明，全球通用存储器市场格局可能在几年内发生巨大变化。

原文：toutiao.com/article/1852288484410378/

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