韩媒：中国代工技术的竞争力正在迅速提升：中国龙头企业表示最新工艺"超越了英特尔"
生产该芯片的中国最大晶圆代工（半导体委托生产）成功实现了比英特尔最新芯片更窄的布线间距。但分析认为，与英特尔、台积电（TSMC）、三星电子相比，尽管在数值测量结果上有所突破，但在实际性能、生产成本等方面仍存在 4-5 年的差距。
17 日，美国半导体分析公司 SemiAnalysis 对中国企业最新智能手机芯片进行了拆解分析，结果显示，中国企业的"N+3"工艺金属布线间距测量为 32.5 纳米（nm），比英特尔在最新 PC 中央处理器（CPU）"黑豹湖"中采用的 18A 工艺（36nm）窄约 10%。这一数据一经公布，网上出现了"中国超越英特尔"的主张。
只是布线间距窄 … 作为核心指标的集成度只达到了一半的水平
专家们一致认为，仅凭一个布线间距就断定工艺水平是不合理的。在比较半导体工艺水平时，更受信赖的指标是每平方毫米（㎟，约为指甲截面的几十分之一大小）面积内能放入的晶体管数量。晶体管是负责开启和关闭电信号以处理运算的半导体基本单位，相同面积内能放入更多晶体管，芯片的性能和能效就越高。
按照这一标准，中国企业 N+3 的集成度约为每平方毫米 1 亿 2,500 万个（估算值），与台积电的 6纳米（N6）工艺相似。尽管该工艺名为"N+3"，中国企业也介绍其为 5 纳米级产品，但实际的集成度接近 6 纳米。市场研究机构 TechInsights 分析师拉杰什·克里舒那穆尔蒂说：" N+3 是之前 7 纳米工艺的扩展版，比台积电和三星的 5 纳米工艺落后很多 "。
与全球最尖端工艺相比，其差距就更大了。台积电的 3 纳米改进版（N3P）每平方毫米有 2 亿 2,400 万个晶体管，三星电子的 3 纳米（SF3）有 1 亿 9,000 万个，英特尔 18A 有 2 亿 3,800 万个。台积电今年投入量产的 2 纳米（N2）有 3 亿 1,300 万个，高出中国企业 N+3 集成度 2.5 倍。
产生这种差异的最大原因是生产设备的不同。台积电、三星和英特尔使用的是在晶圆（半导体基板）上精密雕刻电路的 EUV（极紫外光）设备。而中国企业由于美国的出口管制无法购买该设备，必须使用老式的 DUV（深紫外光）设备来达到同样的效果。因此，不得不采用需要重复刻蚀 5-6 次相同电路的"多重图案化"技术，导致工艺时间延长，每片晶圆的生产成本大幅上升。
在芯片性能方面，与苹果、联发科等相差 4-5 年
采用中国企业最新工艺生产的" 麒麟 9030 "，与前一代产品相比，CPU 内核数增加至 12-14个，GPU（图形处理器）性能最高提升了 79%，取得了具有意义的进展。在智能手机芯片中，首次搭载了硬件加速光线追踪（通过计算光源的反射和折射来实现逼真图像的技术）。
该产品与全球领先水平的差距仍然很大。SemiAnalysis 的分析显示，麒麟 9030 最高性能 CPU 内核的绝对性能比苹果 2020 年推出的 M1 芯片内核低 57%。而 GPU 性能分析显示，比高通和联发科的最新旗舰芯片落后 2.4-3.2 倍。SemiAnalysis 评价麒麟 9030 的综合性能水平与 2021-2022 年推出的旗舰芯片相当。
半导体行业相关人士表示："虽然在制造工艺和芯片性能上还存在差距，但中国企业在面临美国政府设备制裁的情况下，仍正在将老型号设备的性能发挥到极限。虽然有些夸张，但中国代工技术的竞争力正在迅速提升，这一点值得警惕"。
来源：朝鲜日报
原文：toutiao.com/article/1868217741681803/
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