彭博社感慨：华为押注新工艺追赶台积电，ASML光刻机护城河松动！

笔者认为，这篇文章提出一个直击要害的问题：“华为押注新工艺追赶台积电，ASML的光刻机护城河会松动吗？” 报道中给出了一句相当肯定的回答：“这绝对是毫无疑问的。”

事实上，彭博社并非第一次对华为半导体动作投以重注。早在2025年三季度前后，彭博社就曾与国际机构Techinsights合作，对华为手机产品展开全面拆解分析，其核心结论令美国业界颇感惊讶——麒麟9000S的晶体管密度、栅极间距等指标，已经对得上台积电2021年N7+的水平。更重要的是，这套7纳米工艺跑在ASML 1980Di这种“老家伙”上面，靠的是多重曝光、一层光刻拆成四层刻，良率虽低，但毕竟跑通了。

这一判断直指行业根基。ASML的光刻机长期被视为不可逾越的技术壁垒。然而华为正在从两个方向同时给这道护城河“打洞”：一是通过逻辑折叠等新工艺，在不用最先进光刻机的前提下追赶性能；二是中国本土EUV研发的推进，为2030年后彻底“去ASML化”埋下了伏笔。

美国的芯片出口管制不断加码，EUV光刻机禁运、EDA禁售、先进材料断供，整套封锁拼得很齐。但从2023年华为推出国产7纳米芯片开始，局面就在悄然生变。当时那枚7纳米芯片由中芯国际协助量产，虽然对华盛顿的震动不小，但由于缺乏更先进的极紫外光刻设备，进一步的制程升级一度陷入停滞。

华为的应对方式不是硬闯封锁线，而是转向设计创新——“韬定律”与“逻辑折叠”应运而生。

华为这套打法与其说是追赶台积电，不如说是另辟赛道，绕开了ASML的收费关卡。当玩家开始从设计端改写游戏规则，原本高不可攀的设备壁垒，终将迎来它的松动时刻。这一刻是属于中国人的骄傲时刻，它见证了一个民族的不屈不挠。

原文：toutiao.com/article/1866237416527872/

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