韩媒：DDR6技术竞争加剧，长鑫存储追赶三大DRAM公司！

9月9日，韩国媒体《亚洲时报》发表文章称，下一代DRAM半导体DDR6的技术竞赛正在加剧。三星电子、SK海力士和美光这三家DRAM公司正引领这场竞争，中国的长鑫存储也紧随其后。

据业内人士透露，韩国三星电子和SK海力士以及美国美光公司在DDR6技术竞赛中处于领先地位。目前，包括英伟达、AMD和英特尔在内的主要客户正在为这三家DRAM制造商进行原型测试，如果一切按计划进行，预计将于2027年开始量产。

电子元件工程联合委员会（JEDEC）于去年年底制定了DDR6的产品标准规范。

DDR6的最大传输速度可达17600 MT/s，是DDR5的8000 MT/s的两倍多。其基本结构也是96位，相比DDR5的64位增加了通道数，同时降低了位宽，从而提升了性能和安全性。

DDR是决定计算机性能的主要部件之一，是在中央处理器（CPU）和内存之间处理数据的设备。

DDR6预计将应用于下一代AI数据中心、高性能计算（HPC）和高性能笔记本电脑。它代表着三大内存公司未来重要的收入模式。

长鑫存储正在扩大其在DRAM等通用存储器市场的份额，对三大半导体公司构成威胁。

对于三家正在放弃通用半导体市场的DRAM公司来说，如果长鑫存储停留在DDR5，将为暂时保住高附加值的DRAM市场争取时间。

不过，也有人指出，美国半导体法规可能会成为长鑫存储提升自身技术能力的催化剂。

事实上，英伟达首席执行官黄仁勋最近批评了美国对华半导体出口的限制，他表示，“美国的制裁将促进中国的技术独立，美国将在AI产业上同中国展开竞。”

韩国半导体行业一位相关人士也表示：“来自中国的竞争在半导体行业已成现实，逆转只是时间问题。”他还表示：“技术产业如果不是第一就没有意义。需要政府与企业合作的新战略。”

原文：www.toutiao.com/article/1842788207760649/

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