韩媒：“差距最多三年”，中国存储芯片追得太快了！

10月16日，韩国媒体《Edaily》发表文章称，“中国的增长速度比预想的更快”。中国长鑫存储宣布推出其新一代DRAM后，韩国半导体专家分析称，中国与韩国存储器的技术差距正在以超出预期的速度缩小。他们指出，虽然在高带宽内存（HBM）等高价值产品的量产良品率和可靠性方面仍存在数年差距，但中国在通用DRAM和NAND闪存领域已接近领先水平。

近日，长鑫存储宣布计划在年内推出采用“4F2”单元结构的服务器DDR5内存模块。在相同线宽下，与现有的6F2结构相比，单元面积减少了约三分之一，从而可以在相同面积内容纳更多单元。这意味着可以在相同大小的芯片中容纳更大存储容量，或以更小尺寸制造相同容量的芯片，从而提高成本竞争力。有分析指出，此举比三星电子预计在2028年采用4F2工艺的时间提前了两年。

首尔国立大学名誉教授金亨俊在接受采访时表示：“将布局从6F2改为4F2是提高芯片产量的一种方法。由于缺乏EUV光刻设备，长鑫存储正在寻求替代方案。绕过这一限制的方法之一就是采用4F2工艺。中国很可能会赶上我们。”

他还表示：“量产似乎还需要一段时间。但中国的发展速度比我们预期的要快。”

据评估，追赶HBM技术需要更多时间，因为HBM涉及多层DRAM堆叠，以确保可靠性和散热。大多数评估认为差距为两到三年。韩国企业积累的制造经验和良品率是其关键竞争优势。然而，如果中国的DRAM技术取得进展，韩国在HBM领域H也可能面临被追赶的风险。

分析还表明，服务器DRAM在量产能力和产品稳定性方面仍然存在差距。但中国的发展和竞争速度正在加快，通用DRAM的差距已经缩小到两年以内。

对于NAND闪存技术，预计韩国与中国之间的差距为一到两年。

原文：toutiao.com/article/1879206155910216/

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