近期，某国产芯片制造厂表示，明年有望实现关键技术突破，具备14nm量产的能力，相比之下，此前的14nm产线多为本土量产能力与海外技术设备的结合，而这一次，中国将有机会突破全产线、全供应链的国产化。
中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长 吴汉明
中国工程院院士吴汉明指出，后摩尔时代，产业技术发展趋缓，但另一方面，对于中国，创新的空间和追赶机会正在增加。最近国内的企业在装备上投入了不少资源，使得我们的装备也有一些开始进入大生产线的能力，像包括刻蚀、CVD、热处理、CMP、清洗机等等，开始进入芯片制造大生产线。
这意味着中国国产芯片发展迎来黄金时期。过去已经有本土制造企业实现了14nm芯片的量产，在国际贸易多变的当下，如果这一次能实现完全的自主可控，对中国半导体产业的意义是非常大的。
以28nm为分界线，芯片制造分为先进和成熟两种工艺，制程越小，意味着单颗芯片所集成的晶体管数量越多，工艺也越先进。14nm属于先进工艺芯片，但相比于半导体竞争的焦点——3nm、5nm来说，它仍然是一种成熟的技术。
当下，越来越多的业内人发现，一些相对成熟的芯片正成为产业需求的焦点，在物联网兴起、半导体产业转移、摩尔定律趋缓的背景之下，这一次14nm芯片若能自主量产，它的产业意义，远大于学术、技术意义。
14nm芯片国产化必要且紧迫
从应用上看，14nm芯片主要用于高端消费电子产品、人工智能芯片、应用处理器、车载电子等，这类芯片正在电子领域大量流通。国际上，2015年格罗方德公司在实现14nm的量产，2017年联华电子实现量产。本土企业也具备一定量产能力，2019年，国产代工厂中芯国际实现14nm芯片的量产。
吴汉明认为，当前芯片制造工艺面临三大挑战，第一，图形转移的挑战，当下主要先进工艺都是用波长193nm的光源，曝光出20nm-30nm的图形，现在集成电路的光刻工程师却能用波长193nm的光源曝光出数十纳米的图形，突破了光学的限制。
第二，新材料的挑战。芯片的性能提升主要依赖新材料和新工艺。至今，大约有铜、锗等64种材料陆续进入芯片制造，每一种材料都需要数千次工艺实验。
第三，提升良率的挑战，吴汉明指出，这也是所有芯片制造企业的终极挑战，只有量产且通过一定良率的工艺才能被称为成熟的成套工艺。