韩媒：中国DRAM和NAND闪存产量一年内几乎翻倍！

8月28日，韩国媒体《朝鲜日报》发表文章称，中国领先的存储器半导体公司长鑫存储和长江存储在短短一年多的时间里将产能提高了近一倍，从而加强了其在全球存储器半导体市场的影响力。

从传统DRAM开始，中国存储器产品开始在通用DRAM市场崭露头角，而自去年以来，该市场一直由三星电子和SK海力士主导。在国内市场需求的推动下，中国存储器产品正不断提升竞争力。此外，中国存储器产品还在高带宽存储器（HBM）和300层3D NAND闪存等尖端产品领域不断挑战，缩小与三星电子和SK海力士的差距。

据市场研究公司Omdia的最新报告显示，中国长鑫存储的DRAM产能（以晶圆投入量计算）今年第三季度较去年同期扩大约70%，达到72万片。按年计算，预计今年长鑫存储的DRAM晶圆产量将从去年的162万片增至273万片。

就在两三年前，长鑫存储在全球DRAM市场的份额还小到无法量化，但短时间内却实现了产线和出货量的快速增长。根据Omdia对明年出货量的预测，长鑫存储的DRAM出货量有望逼近行业第三大公司——美国美光。正因如此，有人预测，现有的DRAM三巨头（三星电子、SK海力士、美光）未来将重组为四巨头。

长江存储的NAND闪存产能也快速扩张，长江存储自去年第一季度以来一直在快速提升其位于中国武汉第二工厂的产量。今年第二季度，长江存储武汉第二工厂的NAND产能为13万片晶圆，较去年同期（6万片）增长了一倍多。长江存储的NAND整体产能也较去年同期增长了42%。

两家公司正在扩展其产品组合，不仅涵盖通用存储器和传统存储器，还涵盖尖端产品线。长鑫存储也在以SK海力士为主导的HBM市场取得了超预期的进展。长鑫存储计划在今年年底前完成第四代HBM产品HBM3的量产认证流程。

韩国一位半导体设备业内人士解释说：“长鑫存储正在积极扩建其在北京和合肥的工厂，预计未来还将投资HBM封装设施。长鑫存储的内部目标是在两年内实现第五代HBM（HBM3E）的量产，这是SK海力士和美光主导的尖端产品。”

原文：www.toutiao.com/article/1841686887238794/

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