中国半导体技术获得重大突破，长鑫存储称技术获突破，领先三星与SK海力士。据彭博社报道，长鑫存储总裁曹堪宇近日披露，计划今年底前推出一款新型晶片，采用4F²设计。长鑫存储发言人确认了他的上述表述。据悉，如果长鑫存储确实跨越4F²技术门槛，就意味着它在美国制裁限制其获取阿斯麦（ASML）最先进设备的情况下，仍抢先三星电子和SK海力士实现这一突破。

长鑫存储这次拿出了硬货，在4F²这个下一代DRAM架构赛道上，长鑫抢到了先发位置，但真正的胜负还要看量产良率和客户认证。这个消息一出，美股存储板块集体跳水，美光跌近4%，闪迪跌近6%；韩国股市更惨，KOSPI盘中跌超7%触发熔断机制，SK海力士跌超9%，三星跌近8%。

而马斯克在社交媒体上补了一刀："一旦中国掌握某类产品的制造方法，其量产能力往往超过世界其他地区的总和。锂电池和太阳能产品就是典型例子。"事实上，竞争对手怕的不是长鑫"做出样品"，而是怕长鑫一旦跑通，就会像光伏和锂电池一样，用规模和成本把整个行业的价格打下来。

小编个人的看法，长鑫这次突破的战略意义很大。长鑫是在被美国卡住EUV光刻机、无法获取最先进设备的背景下，靠架构创新绕开了制程壁垒。4F²允许特征尺寸"回退"一到两代，意味着用现有DUV产线就能实现更高的存储密度。这等于在被封锁的路线上另辟了一条通道。而三星和SK海力士的4F²量产时间表都在2028年前后，大概要落后长鑫两年左右。

原文：toutiao.com/article/1878935459125255/

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